半導(dǎo)體設(shè)備一般指生產(chǎn)各類半導(dǎo)體產(chǎn)品所需的生產(chǎn)設(shè)備，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈中的關(guān)鍵支撐環(huán)節(jié)。這次小編在這里給大家理了半導(dǎo)體設(shè)備龍頭股一覽,，供大家閱讀參考。

  2022年第二季度北方華創(chuàng)公司主營為電子工藝裝備,、電子元器件等，收入為41億元,、13.34億元,，占比為75.31%%、24.51%%,。

  財報顯示,， 2022年第二季度，公司營業(yè)收入33.08億元;歸屬上市股東的純利潤是5.48億元;全方面攤薄凈資產(chǎn)收益 3.13%;毛利率47.5%,，每股盈利1.04元,。

  2022年第二季度長電科技公司主營為A板塊、B板塊,、分部間抵銷等,，收入為98.6億元、61.72億元,、-4.39億元,，占比為63.23%%,、39.58%%,、-2.81%%。

  財報顯示,， 2022年第三季度,，公司營業(yè)收入91.84億元;歸屬上市股東的純利潤是9.09億元;全方面攤薄凈資產(chǎn)收益 3.91%;毛利率17.07%，每股盈利0.51元,。

  2022年第二季度中微公司公司主營為刻蝕設(shè)備收入,、MOCVD設(shè)備收入等，收入為12.99億元,、2.41億元,，占比為84.35%%、15.65%%,。

  中微公司發(fā)布2022年第三季度財務(wù)報表,，實現(xiàn)營業(yè)收入10.71億元，同比增長45.92%，歸母凈利潤3.25億,，同比123.91%;每股盈利為0.53元,。

  1、三安光電(600703)：公司從事化合物半導(dǎo)體材料的研發(fā)與應(yīng)用,。11月24日消息,，三安光電今年來漲幅下跌-107.25%，最新報18.080元,，跌3.73%,，成交額17.48億元。

  2,、捷佳偉創(chuàng)(300724)：企業(yè)主要從事晶體硅太陽能電池生產(chǎn)設(shè)備,。11月24日開盤消息，捷佳偉創(chuàng)5日內(nèi)股價上漲7.47%,，今年來漲幅上漲20.49%,，最新報133.940元，漲0.01%,，市盈率為63.18,。

  3、東山精密(002384)：公司業(yè)務(wù)有精密金屬制造和精密電子制造,。11月24日消息,，東山精密截至收盤，該股跌2.93%,，報26.520元;5日內(nèi)股價下跌2%,，市值為453.46億元。

  4,、盛美上海(688082)：公司主營業(yè)務(wù)為半導(dǎo)體專用設(shè)備,。11月24日消息，盛美上海5日內(nèi)股價下跌3.92%,，今年來漲幅下跌-41.94%,，最新報84.010元，市盈率為123.54,。

  5,、長川科技(300604)：公司主要是做集成電路專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,。11月24日開盤最新消息,，長川科技今年來漲幅上漲7.26%，截至收盤,，該股漲0.81%報54.430元 ,。

  6,、拓荊科技(688072)：公司從事半導(dǎo)體器件制造、集成電路封裝測試的研發(fā),、生產(chǎn),、銷售。拓荊科技-U(688072)漲1.93%,，報234.200元,，成交額3.46億元，換手率5.29%,，振幅漲1.93%,。

  7、揚杰科技(300373)：公司從事高性能石英玻璃材料,。11月24日開盤消息,，揚杰科技今年來漲幅下跌-15.52%，最新報57.530元,，成交額4.02億元,。

  8、菲利華(300395)：公司業(yè)務(wù)有激光加工及自動化系統(tǒng)集成設(shè)備制造,。11月24日消息,，菲利華截至下午三點收盤，該股報56.870元,，漲0.49%,，3日內(nèi)股價下跌0.97%，總市值為288.29億元,。

  9,、大族激光(002008)：企業(yè)主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測試。11月24日開盤消息,，大族激光今年來漲幅下跌-92.15%,，最新報27.000元，成交額2.49億元,。

  單晶爐是一種在惰性氣體(氮氣,、氦氣為主)環(huán)境中，用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化,，用直拉法生長無錯位單晶硅的設(shè)備。在實際生產(chǎn)單晶硅過程中,，它扮演著控制硅晶體的溫度和質(zhì)量的關(guān)鍵作用,。

  由于單晶直徑在生長過程中可受到溫度、提拉速度與轉(zhuǎn)速,、坩堝跟蹤速度,、保護(hù)氣體流速等因素影響,，其中生產(chǎn)的溫度主要決定能否成晶，而速度將直接影響到晶體的內(nèi)在質(zhì)量,，而這種影響卻只能在單晶拉出后通過檢驗測試才能獲知,，單晶爐主要控制的方面包括晶體直徑、硅功率控制,、泄漏率和氬氣質(zhì)量等,。

  氣相外延爐主要是為硅的氣相外延生長提供特定的工藝環(huán)境，實現(xiàn)在單晶上生長與單晶晶相具有對應(yīng)關(guān)系的薄層晶體,。外延生長是指在單晶襯底(基片)上生長一層有一定要求的,、與襯底晶向相同的單晶層，猶如原來的晶體向外延伸了一段,，為制造高頻大功率器件,，需要減小集電極串聯(lián)電阻，又要求材料能耐高壓和大電流,，因此就需要在低阻值襯底上生長一層薄的高阻外延層,。

  氣相外延爐能夠為單晶沉底實現(xiàn)功能化做基礎(chǔ)準(zhǔn)備，氣相外延即化學(xué)氣相沉積的一種特殊工藝,，其生長薄層的晶體結(jié)構(gòu)是單晶襯底的延續(xù),，而且與襯底的晶向保持對應(yīng)的關(guān)系。

  硅與含有氧化物質(zhì)的氣體,，例如水汽和氧氣在高溫下進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),，而在硅片表面產(chǎn)生一層致密的二氧化硅薄膜，這是硅平面技術(shù)中一項重要的工藝,。氧化爐的基本功能是為硅等半導(dǎo)體材料來氧化處理,，提供要求的氧化氛圍，實現(xiàn)半導(dǎo)體預(yù)期設(shè)計的氧化處理過程,，是半導(dǎo)體工藝流程的必不可少的一個環(huán)節(jié),。

  磁控濺射是物理氣相沉積的一種，一般的濺射法可被用于制備半導(dǎo)體等材料,，且具有設(shè)備簡單,、易于控制、鍍膜面積大和附著力強(qiáng)等優(yōu)點,。在硅晶圓生產(chǎn)的全部過程中,，通過二極濺射中一個平行于靶表面的封閉磁場，和靶表面上形成的正交電磁場,，把二次電子束縛在靶表面特定區(qū)域,，實現(xiàn)高離子密度和高能量的電離，把靶原子或分子高速率濺射沉積在基片上形成薄膜,。

  一種進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨的機(jī)器,，在硅晶圓制造中,，隨著制程技術(shù)的升級、導(dǎo)線與柵極尺寸的縮小,，光刻技術(shù)對晶圓表面的平坦程度的要求慢慢的升高,，IBM公司于1985年發(fā)展CMOS產(chǎn)品引入，并在1990年成功應(yīng)用于64MB的DRAM生產(chǎn)中,，1995年以后,，CMP技術(shù)獲得了加快速度進(jìn)行發(fā)展，大量應(yīng)用于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),。

  化學(xué)機(jī)械研磨亦稱為化學(xué)機(jī)械拋光,，其原理是非物理性腐蝕作用和機(jī)械去除作用相結(jié)合的加工技術(shù)，是目前機(jī)械加工中唯一能輕松實現(xiàn)表面全局平坦化的技術(shù),。在實際制造中,，它主要的作用是通過機(jī)械研磨和化學(xué)液體溶解“腐蝕”的綜合作用，對被研磨體(半導(dǎo)體)進(jìn)行研磨拋光,。

  又名掩模對準(zhǔn)曝光機(jī),、曝光系統(tǒng)、光刻系統(tǒng)等,，常用的光刻機(jī)是掩膜對準(zhǔn)光刻,，一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清理洗滌并且烘干、涂底,、旋涂光刻膠,、軟烘、對準(zhǔn)曝光,、后烘,、顯影、硬烘,、刻蝕等工序,。在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移光刻膠上的過程將器件或電路結(jié)構(gòu)臨時“復(fù)制”到硅片上的過程,。