時(shí)間: 2023-08-29 00:02:52 | 作者: 哈希官網(wǎng)hashcsgo
半導(dǎo)體設(shè)備詳解——產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移與國家力量賦能國產(chǎn)化加速推進(jìn)
受DRAM/NAND價(jià)格大大下滑等因素影響,,2019年全球半導(dǎo)體市場的增長出現(xiàn)十年來最低谷,,設(shè)備市場也同比下降10.8%。隨著存儲(chǔ)器庫存回歸合理水平以及下游市場需求的增長,,2020年半導(dǎo)體設(shè)備市場出現(xiàn)回暖趨勢:1)截至2020年1月,,北美半導(dǎo)體設(shè)備出貨額已連續(xù)4個(gè)月同比正增長,;2)2019年12月,,日本半導(dǎo)體設(shè)備的出口額激增26%,;3)三星、臺(tái)積電,、英特爾一致調(diào)增2020年的資本支出力度,將成為拉動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備增長的直接因素,。據(jù)SEMI預(yù)計(jì),,2020年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場收入將同比增加5.5%,達(dá)到608億美元,,且此成長態(tài)勢有望延續(xù)至2021年,。長期看,5G,、AI,、IoT、云計(jì)算和汽車電子等新需求的爆發(fā)將拉動(dòng)全球半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入下一輪景氣周期,。
中國正處于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第三次轉(zhuǎn)移的歷史機(jī)遇期,。嚴(yán)重的供需錯(cuò)配為中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供了充足動(dòng)力,同時(shí)摩爾定律步伐的放緩也為中國企業(yè)追趕世界一流技術(shù)水平提供了時(shí)間窗口,。依據(jù)日,、韓及中國臺(tái)灣的歷史經(jīng)驗(yàn),全球性的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移必將催生一批有突出貢獻(xiàn)的公司,。在政策與資金的雙重支持下,,“大基金”二期已于2019年10月成立,,募集資金超過2000億元,重點(diǎn)布局設(shè)備,、材料領(lǐng)域,。若按1:5的撬動(dòng)比,“大基金”二期將帶動(dòng)萬億元資金進(jìn)入IC產(chǎn)業(yè),,助力打造更先進(jìn)完整的自主可控產(chǎn)業(yè)鏈,。
中國半導(dǎo)體設(shè)備市場龐大,自給率低,;國產(chǎn)關(guān)鍵設(shè)備本土配套能力明顯提升,,受益國內(nèi)存儲(chǔ)/Foundry廠商陸續(xù)進(jìn)入設(shè)備采購高峰期,增長有望加速,。
隨著中國半導(dǎo)體制造業(yè)的迅猛發(fā)展,,設(shè)備需求一直增長,2019年以149億美元的市場規(guī)模居全球第二位,,并有望在2021年躍居首位,;但國產(chǎn)設(shè)備配套能力不夠,自給率僅不到15%,?!?2專項(xiàng)”以來,我國半導(dǎo)體設(shè)備實(shí)現(xiàn)了從無到有,、由弱到強(qiáng)的巨大轉(zhuǎn)變,,在刻蝕機(jī)、磁控濺射,、離子注入機(jī),、CVD以及清洗機(jī)等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破,總體技術(shù)水平達(dá)到28nm,,多種14nm-10nm關(guān)鍵設(shè)備進(jìn)入客戶生產(chǎn)線,。從長江存儲(chǔ)招標(biāo)情況看,在集成電路領(lǐng)域的部分關(guān)鍵設(shè)備方面,,中國已基本具備自主研發(fā)能力,,本土配套能力顯著改善,隨著存儲(chǔ)/Foundry廠商陸續(xù)進(jìn)入設(shè)備采購高峰期,,本土半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)增長有望加速,。
風(fēng)險(xiǎn)提示:國內(nèi)晶圓廠投資建設(shè)沒有到達(dá)預(yù)期,硅片項(xiàng)目建設(shè)沒有到達(dá)預(yù)期,,國產(chǎn)化進(jìn)程緩慢,,貿(mào)易摩擦升級等。