1 本年度報告摘要來自年度報告全文,，為全方面了解本公司的經(jīng)營成果,、財務(wù)情況及未來發(fā)展規(guī)劃,，投資者應(yīng)當(dāng)?shù)骄W(wǎng)站仔細(xì)閱讀年度報告全文,。

  報告期內(nèi)，不存在對公司生產(chǎn)經(jīng)營產(chǎn)生實(shí)質(zhì)性影響的特別重大風(fēng)險,。公司已在報告中詳細(xì)描述可能存在的相關(guān)風(fēng)險,，敬請查閱第三節(jié)管理層討論與分析“四,、風(fēng)險因素”部分內(nèi)容。

  3 本公司董事會,、監(jiān)事會及董事,、監(jiān)事、高級管理人員保證年度報告內(nèi)容的真實(shí)性,、準(zhǔn)確性,、完整性，不存在虛假記載,、誤導(dǎo)性陳述或重大遺漏,，并承擔(dān)個別和連帶的法律責(zé)任。

  5 普華永道中天會計(jì)師事務(wù)所（特殊普通合伙）為本公司出具了標(biāo)準(zhǔn)無保留意見的審計(jì)報告,。

  考慮到公司目前研發(fā)投入等資金需求較大,，為更好地維護(hù)全體股東的長遠(yuǎn)利益，公司2022年度不分配利潤,，資本公積不轉(zhuǎn)增,。以上利潤分配預(yù)案已經(jīng)公司第二屆董事會第十一次會議審議通過，該預(yù)案尚需公司2022年年度股東大會審議通過,。

  報告期內(nèi),，企業(yè)主要從事高端半導(dǎo)體設(shè)備及泛半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,。公司瞄準(zhǔn)世界科技前沿,，基于在半導(dǎo)體設(shè)備制造產(chǎn)業(yè)多年積累的專業(yè)技術(shù)，涉足半導(dǎo)體集成電路制造,、先進(jìn)封裝,、LED外延片生產(chǎn)、功率器件,、MEMS制造以及其他微觀工藝的高端設(shè)備領(lǐng)域,。

  公司的等離子體刻蝕設(shè)備已應(yīng)用在國際一線納米及其他先進(jìn)的集成電路加工制造生產(chǎn)線及先進(jìn)封裝生產(chǎn)線。公司MOCVD設(shè)備在行業(yè)領(lǐng)先客戶的生產(chǎn)線上大規(guī)模投入量產(chǎn),，公司已成為世界排名前列的氮化鎵基LED設(shè)備制造商,。

  公司主要為集成電路、LED外延片,、功率器件,、MEMS等半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造企業(yè)提供刻蝕設(shè)備、MOCVD設(shè)備及其他設(shè)備,，其中主要產(chǎn)品的具體情況如下：

  公司主要是做半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā),、生產(chǎn)和銷售，通過向下游集成電路、LED外延片,、先進(jìn)封裝,、MEMS等半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造公司銷售刻蝕設(shè)備和MOCVD設(shè)備、提供配件及服務(wù)實(shí)現(xiàn)收入和利潤,。報告期內(nèi),，公司主營業(yè)務(wù)收入來源于半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)品的銷售，其他收入來源于設(shè)備相關(guān)配件銷售及設(shè)備支持服務(wù)等,。

  公司主要采取自主研發(fā)的模式,。根據(jù)公司產(chǎn)品成熟度，公司的研發(fā)流程主要包括概念與可行性階段,、Alpha階段,、Beta階段、量產(chǎn)階段,。

  公司按照刻蝕設(shè)備,、MOCVD設(shè)備等不同研發(fā)對象和項(xiàng)目產(chǎn)品，組成了相對獨(dú)立的研發(fā)團(tuán)隊(duì),。不同產(chǎn)品研發(fā)團(tuán)隊(duì)擁有各自獨(dú)立的機(jī)械設(shè)計(jì),、工藝開發(fā)、產(chǎn)品管理和技術(shù)支持團(tuán)隊(duì),，而在電氣工程,、平臺工程、軟件工程等方面則采用共享的方式進(jìn)行研發(fā)支持,。通過這種矩陣管理的方法,，實(shí)現(xiàn)了人才、營運(yùn)等資源在不同的產(chǎn)品及技術(shù)服務(wù)之間靈活分配,，實(shí)現(xiàn)共享經(jīng)驗(yàn)知識,，優(yōu)化資源使用效率，使公司能夠快速響應(yīng)不斷變化的研發(fā)要求,，進(jìn)行持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新,。

  為保證公司產(chǎn)品的質(zhì)量和性能，公司制定了嚴(yán)格的供應(yīng)商選擇和審核制度,。達(dá)到經(jīng)營資質(zhì),、研發(fā)和設(shè)計(jì)能力、技術(shù)水平,、質(zhì)量管控能力,、生產(chǎn)能力、產(chǎn)品價格,、交貨周期及付款周期等眾多標(biāo)準(zhǔn)要求的供應(yīng)商，才可以被考慮納入公司合格供應(yīng)商名錄，并定期審核,。目前,，公司已經(jīng)與全球眾多供應(yīng)商建立了長期、穩(wěn)定的合作關(guān)系,。

  公司主要采用以銷定產(chǎn)的生產(chǎn)模式,，實(shí)行訂單式生產(chǎn)為主，結(jié)合少量庫存式生產(chǎn)為輔的生產(chǎn)方式,。訂單式生產(chǎn)是指公司在與客戶簽訂訂單后,，根據(jù)訂單情況進(jìn)行定制化設(shè)計(jì)及生產(chǎn)制造，以應(yīng)對客戶的差異化需求,。庫存式生產(chǎn)是指公司對設(shè)備通用組件或成批量出貨設(shè)備常用組件根據(jù)內(nèi)部需求及生產(chǎn)計(jì)劃進(jìn)行預(yù)生產(chǎn),，主要為快速響應(yīng)交期及平衡產(chǎn)能。

  公司采取直銷為主的銷售模式,，因歐洲市場的客戶較為分散,，公司在該區(qū)域通過代理商模式進(jìn)行銷售。公司設(shè)有全球業(yè)務(wù)部負(fù)責(zé)公司所有產(chǎn)品的銷售管理,，下設(shè)中國大陸,、中國臺灣、韓國,、日本,、新加坡、美國等國家或地區(qū)的區(qū)域銷售和支持部門,。

  半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)是一個全球化程度較高的行業(yè),，受國際經(jīng)濟(jì)波動、半導(dǎo)體市場,、終端消費(fèi)市場需求影響,，其發(fā)展呈現(xiàn)一定的周期性波動。當(dāng)宏觀經(jīng)濟(jì)和終端消費(fèi)市場需求變化較大時,，客戶會調(diào)整其資本性支出規(guī)模和對設(shè)備的采購計(jì)劃,，從而對公司的營業(yè)收入和盈利產(chǎn)生影響。

  全球集成電路和以LED為代表的光電子器件的銷售額合計(jì)占所有半導(dǎo)體產(chǎn)品銷售額的90%以上,，是半導(dǎo)體產(chǎn)品最重要的組成部分,。公司所處的細(xì)分行業(yè)為半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)中的刻蝕設(shè)備行業(yè)和LED設(shè)備行業(yè)中的MOCVD設(shè)備行業(yè)。

  集成電路設(shè)備包括晶圓制造設(shè)備,、封裝設(shè)備和測試設(shè)備等,，晶圓制造設(shè)備的市場規(guī)模約占集成電路設(shè)備整體市場規(guī)模的約80%。

  晶圓制造設(shè)備可以分為刻蝕,、薄膜沉積,、光刻,、檢測、離子摻雜等品類,，其中刻蝕設(shè)備,、薄膜沉積、光刻設(shè)備設(shè)備是集成電路前道生產(chǎn)工藝中最重要的三類設(shè)備,。根據(jù)Gartner統(tǒng)計(jì),，2022年全球刻蝕設(shè)備、薄膜沉積和光刻設(shè)備分別占晶圓制造設(shè)備價值量約22%,、22%和17%,。

  隨著集成電路芯片制造工藝的進(jìn)步，線寬關(guān)鍵尺寸不斷縮小,、芯片結(jié)構(gòu)3D化,，晶圓制造向7納米、5納米以及更先進(jìn)的工藝發(fā)展,。由于目前先進(jìn)工藝芯片加工使用的光刻機(jī)受到波長限制,，14納米及以下的邏輯器件微觀結(jié)構(gòu)的加工多通過等離子體刻蝕和薄膜沉積的工藝組合一一多重模板工藝來實(shí)現(xiàn)，使得刻蝕等相關(guān)設(shè)備的加工步驟增多,。由于存儲器技術(shù)由二維轉(zhuǎn)向三維架構(gòu),，隨著堆疊層數(shù)的增加，刻蝕設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備已取代光刻機(jī)成為最關(guān)鍵,、最核心的設(shè)備,。

  MOCVD設(shè)備廣泛應(yīng)用于包括半導(dǎo)體器件、光學(xué)器件,、氣敏元件,、超導(dǎo)薄膜材料、高介電材料等多種薄膜材料的制備,，是目前化合物半導(dǎo)體材料制備的關(guān)鍵技術(shù)之一,。MOCVD設(shè)備既能實(shí)現(xiàn)高難及復(fù)雜的化合物半導(dǎo)體材料生長，又能滿足產(chǎn)業(yè)化對高效產(chǎn)出,、備成本的需求,，在國民經(jīng)濟(jì)中著舉足輕重的作用。當(dāng)前LED照明,、5G通信,、新型高端顯示、新能源汽車,、高速軌道交通,、光伏并網(wǎng)、消費(fèi)類電子等多個國民經(jīng)濟(jì)重點(diǎn)領(lǐng)域都離不開氮化鎵和碳化硅等為代表的化合物半導(dǎo)體材料,。

  在LED及功率器件生產(chǎn)過程中,，外延片的制備是至關(guān)重要的步驟,， 其主要通過MOCVD單種設(shè)備實(shí)現(xiàn)。而MOCVD設(shè)備采購金額一般占LED生產(chǎn)線設(shè)備總投入的一半以上,，是整個器件制造環(huán)節(jié)中最重要的設(shè)備,。

  除用于制造通用照明和背光顯示的藍(lán)光LED,，MOCVD設(shè)備還可制造應(yīng)用于高端顯示的Mini-LED和Micro-LED,、用于殺菌消毒和空氣凈化的紫外LED、應(yīng)用于電力電子的功率器件,，隨著這些新興領(lǐng)域的應(yīng)用拓展及逐步推廣,，MOCVD設(shè)備的市場規(guī)模有望進(jìn)一步擴(kuò)大。

  過去幾年,，LED客戶擴(kuò)產(chǎn)的主要方向?yàn)樗{(lán)綠光外延片,，應(yīng)用領(lǐng)域也主要在照明市場。在Mini-LED背光及直接顯示市場需求的推動下,，近兩年高端顯示類的LED外延片需求量增加明顯,。Micro-LED高端顯示技術(shù)也發(fā)展迅速，基于Micro-LED的高端顯示應(yīng)用也開始小規(guī)模試生產(chǎn),，預(yù)計(jì)在未來幾年將會有更多的市場需求,。根據(jù)TrendForce集邦咨詢報道，隨著Mini-LED背光顯示滲透率的提升,，以及Mini-LED直接顯示逐漸進(jìn)入商顯等市場,，Mini/Micro-LED新型顯示帶來的LED外延片需求量將快速增長。

  此外,，隨著電動汽車,、光伏儲能、手機(jī)和筆記本電腦快充,、數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用爆發(fā)式增長,，帶動功率半導(dǎo)體市場迎來高景氣周期，尤其是氮化鎵和碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體是近期的行業(yè)熱點(diǎn),。據(jù)TrendForce報告,，氮化鎵功率器件主要應(yīng)用在高頻中小功率領(lǐng)域，預(yù)計(jì)市場規(guī)模將從2021年的1億美金快速增長到2025年的13億美金,，復(fù)合年均增長率達(dá)90.6%,。由此對氮化鎵功率器件外延片制造設(shè)備有較大的需求。

  碳化硅功率器件主要應(yīng)用在大功率領(lǐng)域,，如新能源汽車,、光伏儲能、軌道交通等領(lǐng)域,，尤其是在車用領(lǐng)域,，預(yù)計(jì)未來幾年在車載主逆變器,、充電模塊等應(yīng)用將持續(xù)高速增長，據(jù)Yole公司報告,，碳化硅功率器件在2027年市場規(guī)模將突破60億美金,，復(fù)合年均增長率超過30%，由此對碳化硅外延生產(chǎn)設(shè)備將有更大的需求,。

  目前半導(dǎo)體設(shè)備市場主要由歐美,、日本等國家的企業(yè)所占據(jù)。近年來我國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)整體水平不斷提高,。

  在刻蝕設(shè)備方面,，全球刻蝕設(shè)備市場呈現(xiàn)壟斷格局，泛林半導(dǎo)體,、東京電子,、應(yīng)用材料占據(jù)主要市場份額；公司刻蝕設(shè)備已應(yīng)用于全球先進(jìn)的7納米和5納米集成電路加工制造生產(chǎn)線 納米芯片生產(chǎn)線及下一代更先進(jìn)的生產(chǎn)線上,，公司的 CCP 刻蝕設(shè)備均實(shí)現(xiàn)了多次批量銷售,，已有超過 200臺反應(yīng)臺在生產(chǎn)線合格運(yùn)轉(zhuǎn)，公司在主要客戶的市場占有率穩(wěn)步提升,。

  在MOCVD設(shè)備領(lǐng)域,，公司用于氮化鎵基LED外延生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備已在行業(yè)領(lǐng)先客戶生產(chǎn)線年起已經(jīng)成為氮化鎵基LED市場份額最大的MOCVD設(shè)備供應(yīng)商，并持續(xù)保持在行業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先地位,。

  隨著芯片制程的不斷提升,，在每一代芯片新技術(shù)上，晶體管體積都在不斷縮小,，同時芯片性能不斷提升,，先進(jìn)的芯片中已有超過100億個晶體管。隨著工藝的提升,，先進(jìn)芯片從平面MOSFET結(jié)構(gòu)過渡到FinFET（三維鰭式場效應(yīng)晶體管）晶體管架構(gòu),。隨著晶體管結(jié)構(gòu)的復(fù)雜度不斷提升，各種半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)的創(chuàng)新和突破起到?jīng)Q定性作用,，對于刻蝕和薄膜沉積技術(shù)提出了更高的要求,。

  刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕各向異性較差,，側(cè)壁容易產(chǎn)生橫向刻蝕造成刻蝕偏差,，通常用于工藝尺寸較大的應(yīng)用，或用于干法刻蝕后清洗殘留物等,。干法刻蝕是目前主流的刻蝕技術(shù),，其中以等離子體干法刻蝕為主導(dǎo)。

  等離子體刻蝕設(shè)備是一種大型真空的全自動的加工設(shè)備,，一般由多個真空等離子體反應(yīng)腔和主機(jī)傳遞系統(tǒng)構(gòu)成,。等離子體刻蝕設(shè)備的分類與刻蝕工藝密切相關(guān),，其原理是利用等離子體放電產(chǎn)生的帶化學(xué)活性的粒子，在離子的轟擊下,，與表面的材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng),，產(chǎn)生可揮發(fā)的氣體，從而在表面的材料上加工出微觀結(jié)構(gòu),。

  根據(jù)產(chǎn)生等離子體方法的不同,，干法刻蝕主要分為電容性等離子體刻蝕和電感性等離子體刻蝕；根據(jù)被刻蝕材料類型的不同,，干法刻蝕主要是刻蝕介質(zhì)材料,、硅材料和金屬材料,。電容性等離子體刻蝕主要是以高能離子在較硬的介質(zhì)材料上,，刻蝕高深寬比的深孔、溝槽等微觀結(jié)構(gòu),；而電感性等離子體刻蝕主要是以較低的離子能量和極均勻的離子濃度刻蝕較軟的或較薄的材料,。這兩種刻蝕設(shè)備涵蓋了主要的刻蝕應(yīng)用。

  隨著國際上先進(jìn)芯片制程從7-5納米階段向3納米,、2納米及更先進(jìn)工藝的方向發(fā)展,，當(dāng)前光刻機(jī)受光波長的限制，需要結(jié)合刻蝕和薄膜設(shè)備,，采用多重模板工藝,，利用刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)更小的尺寸，使得刻蝕技術(shù)及相關(guān)設(shè)備的重要性進(jìn)一步提升,。下圖展示二重和多重模板工藝原理,，涉及多次刻蝕：

  芯片線寬的縮小及多重模板工藝等新制造工藝的采用，對刻蝕技術(shù)的精確度和重復(fù)性要求更高,?？涛g技術(shù)需要在刻蝕速率、各向異性,、刻蝕偏差,、選擇比、深寬比,、均勻性,、殘留物、等離子體引起的敏感器件損傷,、顆粒沾污等指標(biāo)上滿足更高的要求,，刻蝕設(shè)備隨之更新進(jìn)步，例如：刻蝕設(shè)備的靜電吸盤從原來的4個分區(qū)擴(kuò)展到超過20個分區(qū),，以實(shí)現(xiàn)更高要求的均勻性,；更好的腔體溫度控制提高生產(chǎn)重復(fù)性,。

  集成電路2D存儲器件的線寬已接近物理極限，NAND閃存已進(jìn)入3D時代,。目前128層3D NAND閃存已進(jìn)入大生產(chǎn),，192層閃存已處于批量生產(chǎn)階段，256層正在開發(fā),。3D NAND制造工藝中,，增加集成度的主要方法不再是縮小單層上線寬而是增加堆疊的層數(shù)?？涛g要在氧化硅和氮化硅的疊層結(jié)構(gòu)上,，加工40：1到60：1甚至更高的極深孔或極深的溝槽。3D NAND層數(shù)的增加要求刻蝕技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高的深寬比,，并且對刻蝕設(shè)備的需求比例進(jìn)一步加大,。

  制造照明用藍(lán)光LED外延片的MOCVD技術(shù)已達(dá)到較為成熟的階段，MOCVD設(shè)備企業(yè)目前主要在提高大規(guī)模外延生產(chǎn)所需的性能,、降低生產(chǎn)成本,、具備大尺寸襯底外延能力等方面進(jìn)行技術(shù)開發(fā)，以滿足下游應(yīng)用市場的需求,。

  應(yīng)用于Mini-LED新型顯示應(yīng)用的MOCVD設(shè)備發(fā)展較為迅速,，公司所開發(fā)的Prismo UniMax^[®]被廣泛應(yīng)用到領(lǐng)先客戶的Mini-LED外延生產(chǎn)線，占據(jù)行業(yè)主導(dǎo)地位,，后續(xù)公司將于更多下游客戶合作進(jìn)行設(shè)備評估,，擴(kuò)大市場推廣，助力Mini-LED新型顯示應(yīng)用的市場發(fā)展,。

  應(yīng)用于Micro-LED高端顯示的MOCVD設(shè)備還處于研發(fā)階段,，產(chǎn)業(yè)鏈對Micro-LED外延片在產(chǎn)出波長均勻性、顆粒度等方面有極為苛刻的技術(shù)要求,，以此降低Micro-LED應(yīng)用的制造成本,，加速高端顯示市場的推廣。MOCVD設(shè)備企業(yè)后續(xù)主要將在提升產(chǎn)出波長均勻性,，減少外延片顆粒度,，提高芯片良率，提升設(shè)備的自動化性能以及大尺寸外延片加工能力等方面進(jìn)行技術(shù)突破,，從而推進(jìn)產(chǎn)品的不斷進(jìn)步,。中微公司已開始研發(fā)Micro-LED高端顯示應(yīng)用的MOCVD生產(chǎn)設(shè)備。

  應(yīng)用于氮化鎵功率器件生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備處于快速發(fā)展階段,。行業(yè)內(nèi)已有專用于氮化鎵功率器件量產(chǎn)的進(jìn)口MOCVD設(shè)備在客戶端用于生產(chǎn),，公司也于2022年推出了用于氮化鎵功率器件生產(chǎn)應(yīng)用的MOCVD設(shè)備Prismo PD5^[®]，目前已交付國內(nèi)外領(lǐng)先客戶進(jìn)行生產(chǎn)驗(yàn)證，并取得了重復(fù)訂單,。除此之外,，公司正在開發(fā)新一代氮化鎵功率器件應(yīng)用的MOCVD設(shè)備，將進(jìn)一步提升設(shè)備性能,，降低客戶生產(chǎn)成本,，持續(xù)提升公司在氮化鎵基MOCVD設(shè)備領(lǐng)域的競爭力。

  應(yīng)用于碳化硅功率器件的外延設(shè)備總體還處于生產(chǎn)驗(yàn)證階段,，公司將在機(jī)臺產(chǎn)出一致性,，設(shè)備自動化性能，產(chǎn)出效率,，硬件穩(wěn)定性等方面進(jìn)行進(jìn)一步性能優(yōu)化,，以滿足下游客戶對外延片產(chǎn)出性能和產(chǎn)出經(jīng)濟(jì)性等方面的苛刻需求。

  從上個世紀(jì)末開始,，主流的半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)開始采用鎢作為接觸孔材料,，以減少純鋁連接對前端器件的損傷，到如今鎢依然是接觸孔工藝的主流方案,。伴隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的推進(jìn),，器件外阻逐漸超過內(nèi)阻，成為影響器件速率的關(guān)鍵因素,，同時器件密度的提高使得原本的單層接觸孔結(jié)構(gòu)向多層接觸孔演變。在可以預(yù)見的2nm以及更高的節(jié)點(diǎn),，鎢接觸孔依然是最有競爭力的解決方案,。

  CVD鎢制程需要良好的附著和阻擋層，一般是用附著性,、穩(wěn)定性以及阻擋性都非常優(yōu)秀的氮化鈦材料,。在傳統(tǒng)工藝中，關(guān)鍵尺寸比較大,，填充難度不高,，業(yè)界都是用物理氣相沉積的方法來沉積這樣的氮化鈦。如今主流的邏輯和存儲芯片接觸孔或者連線的關(guān)鍵尺寸都很小,，深寬比都很高,，傳統(tǒng)的物理氣相沉積氮化鈦由于較低的階梯覆蓋率，不能夠滿足高端器件的需求,。原子層沉積的氮化鈦具有優(yōu)秀的階梯覆蓋率,，逐漸成為接觸孔阻擋層和粘結(jié)層的主要選擇。

  國際國內(nèi)先進(jìn)邏輯器件工藝節(jié)點(diǎn)從14nm,、7nm向5nm及更先進(jìn)工藝方向發(fā)展,，器件互聯(lián)電阻逐漸增大成為影響器件速度的關(guān)鍵因素。在90nm到28nm的傳統(tǒng)工藝節(jié)點(diǎn)中,，降低接觸孔電阻的關(guān)鍵是降低鎢膜的電阻率,。但是在14nm及更先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn),，金屬阻擋層、金屬形核層對接觸孔阻值的影響越來越明顯,，如何減少或者消除阻擋層和形核層的電阻是降低接觸孔電阻的關(guān)鍵,。鈷、鉬,、釕等金屬的應(yīng)用以及無阻擋層的工藝也在更先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)上開發(fā)和應(yīng)用,。先進(jìn)邏輯器件還需要均勻性和穩(wěn)定性更好的金屬柵的填充技術(shù)，以提高器件的性能和穩(wěn)定性,。隨著3D NAND堆疊層數(shù)增加,，階梯接觸孔的深寬比會達(dá)到40：1到60：1以上，這對氮化鈦?zhàn)钃鯇拥纳L和極高深寬比的鎢填充都提出了更高的要求,，堆疊層數(shù)的提高還需要更具挑戰(zhàn)性的WL線路填充,，包括更高的深寬比和更長的橫向填充。這些新工藝都要通過先進(jìn)的金屬CVD或ALD來實(shí)現(xiàn),。

  半導(dǎo)體在技術(shù)上的不斷突破所帶來的應(yīng)用迭代,，改變了許多傳統(tǒng)行業(yè)亦催生出眾多應(yīng)用，如互聯(lián)網(wǎng),、智能手機(jī),、人工智能、5G,、自動駕駛等新興產(chǎn)業(yè),。半導(dǎo)體的制造離不開半導(dǎo)體設(shè)備，半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的持續(xù)發(fā)展間接地促進(jìn)了各類新產(chǎn)業(yè)的誕生,。

  集成電路應(yīng)用領(lǐng)域中,，以物聯(lián)網(wǎng)為代表的新興產(chǎn)業(yè)，在可預(yù)見的未來內(nèi)發(fā)展趨勢明朗,。人工智能,、大數(shù)據(jù)、可穿戴設(shè)備,、自動駕駛汽車,、智能機(jī)器人等應(yīng)用的發(fā)展將釋放出大量芯片制造的需求，進(jìn)一步推動上游半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的穩(wěn)步增長,。

  光電子LED產(chǎn)業(yè)中,，以LED新型顯示為代表的新興產(chǎn)業(yè)，逐漸成為顯示行業(yè)追逐的熱點(diǎn),。當(dāng)前新興的小間距LED顯示在物理拼縫,、顯示效果、功耗、使用壽命方面均有優(yōu)越表現(xiàn),，未來隨著Mini-LED和Micro-LED技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展和完善,，LED新型顯示產(chǎn)業(yè)有望成為繼LED照明產(chǎn)業(yè)后MOCVD應(yīng)用產(chǎn)業(yè)發(fā)展最迅速的版塊之一。

  在化合物半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域,，隨著新基建,、“碳達(dá)峰、碳中和”的政策與規(guī)劃密集推出,，化合物半導(dǎo)體在清潔能源,、新能源汽車及充電樁、功率器件快充,、大數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用市場的需求已經(jīng)開始呈現(xiàn)出快速增長趨勢,。

  4.1 普通股股東總數(shù)、表決權(quán)恢復(fù)的優(yōu)先股股東總數(shù)和持有特別表決權(quán)股份的股東總數(shù)及前 10 名股東情況

  1 公司應(yīng)當(dāng)根據(jù)重要性原則,，披露報告期內(nèi)公司經(jīng)營情況的重大變化,，以及報告期內(nèi)發(fā)生的對公司經(jīng)營情況有重大影響和預(yù)計(jì)未來會有重大影響的事項(xiàng)。

  公司從2012年到2022年十年的平均年?duì)I業(yè)收入一直保持了高于35%的增長率,。公司2021年?duì)I業(yè)收入為31.08億元,，同比增長36.72%。報告期內(nèi),，雖然國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)形勢非常不利,，公司上下齊心，知難而上,，克服了重重困難,，與客戶和供應(yīng)廠商密切合作，積極應(yīng)對復(fù)雜國際環(huán)境的考驗(yàn),，公司2022年仍實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入47.40億元，較上年同期增長52.50%,，再創(chuàng)歷史新高,。

  2 公司年度報告披露后存在退市風(fēng)險警示或終止上市情形的，應(yīng)當(dāng)披露導(dǎo)致退市風(fēng)險警示或終止上市情形的原因,。

  本公司董事會及全體董事保證公告內(nèi)容不存在任何虛假記載,、誤導(dǎo)性陳述或者重大遺漏，并對其內(nèi)容的真實(shí)性,、準(zhǔn)確性和完整性依法承擔(dān)法律責(zé)任,。

  （二） 股東大會召開的地點(diǎn)：上海市浦東新區(qū)泰華路188號中微公司二號樓三樓2303會議室

  （三） 出席會議的普通股股東、特別表決權(quán)股東,、恢復(fù)表決權(quán)的優(yōu)先股股東及其持有表決權(quán)數(shù)量的情況：

  本次會議由董事會召集,，由董事長尹志堯主持，以現(xiàn)場投票與網(wǎng)絡(luò)投票相結(jié)合的方式進(jìn)行表決。會議的召集,、召開與表決符合《公司法》及《公司章程》的規(guī)定,。

  1、 公司在任董事8人,，出席7人,，董事陳大同先生因無法取得聯(lián)系未能出席會議；

  1,、 議案名稱：關(guān)于更換公司獨(dú)立董事并相應(yīng)調(diào)整董事會專門委員會成員的議案

  1,、 關(guān)于補(bǔ)選公司第二屆董事會非獨(dú)立董事并相應(yīng)調(diào)整董事會專門委員會成員的議案

  綜上所述，本所律師認(rèn)為,，公司2023 年第一次臨時股東大會的召集和召開程序,、召集人資格、出席會議人員資格及表決程序等,，均符合《公司法》《上市公司股東大會規(guī)則》等法律,、法規(guī)、規(guī)章和其他規(guī)范性文件及《公司章程》的有關(guān)規(guī)定,，本次股東大會的表決結(jié)果合法有效,。

  本公司董事會及全體董事保證本公告內(nèi)容不存在任何虛假記載、誤導(dǎo)性陳述或者重大遺漏,，并對其內(nèi)容的真實(shí)性,、準(zhǔn)確性和完整性依法承擔(dān)法律責(zé)任。

  中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”或“公司”）于2023年3月30日在公司會議室以現(xiàn)場及通訊方式召開了第二屆董事會第十一次會議（以下簡稱“本次會議”）,。本次會議的通知于2023年3月16日通過電話及郵件方式送達(dá)全體董事,。會議應(yīng)出席董事11人，實(shí)際到會董事11人,，會議由公司董事長尹志堯先生主持,。會議的召集和召開程序符合有關(guān)法律、行政法規(guī),、部門規(guī)章,、規(guī)范性文件和公司章程的規(guī)定。會議決議合法,、有效,。

  （一）審議通過《關(guān)于中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司2022年年度報告及摘要的議案》

  根據(jù)相關(guān)法律、法規(guī),、規(guī)范性文件的規(guī)定,，公司編制了《中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司2022年年度報告及其摘要》。

  根據(jù)相關(guān)法律,、法規(guī),、規(guī)范性文件以及《公司章程》的規(guī)定,，公司董事會編制了《關(guān)于中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司2022年環(huán)境、社會及管治報告的議案》,。

  根據(jù)相關(guān)法律,、法規(guī)、規(guī)范性文件以及公司章程的規(guī)定,，綜合公司2022年年度經(jīng)營及財務(wù)狀況,，公司編制了《中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司2022年年度財務(wù)決算報告》。

  根據(jù)相關(guān)法律,、法規(guī),、規(guī)范性文件以及公司章程的規(guī)定，結(jié)合公司經(jīng)營狀況及資金需求,，公司2022年度不分配利潤,，資本公積不轉(zhuǎn)增。

  （五）審議通過《關(guān)于公司2022年年度募集資金存放與實(shí)際使用情況的專項(xiàng)報告的議案》

  根據(jù)相關(guān)法律,、法規(guī),、規(guī)范性文件以及公司《募集資金管理辦法》的規(guī)定，結(jié)合本公司的實(shí)際情況,，公司編制了《中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司2022年年度募集資金存放與實(shí)際使用情況的專項(xiàng)報告》,。

  根據(jù)相關(guān)法律、法規(guī),、規(guī)范性文件以及公司章程,、公司《關(guān)聯(lián)交易管理制度》的規(guī)定，為規(guī)范中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司的日常關(guān)聯(lián)交易,，同時滿足公司日常生產(chǎn)經(jīng)營的需要,，結(jié)合公司2023年年度生產(chǎn)經(jīng)營計(jì)劃，公司對2023年年度的日常關(guān)聯(lián)交易情況進(jìn)行了預(yù)計(jì),。

  表決結(jié)果：8票贊成,，0票反對，0票棄權(quán),。關(guān)聯(lián)董事尹志堯,、朱民、張亮回避表決,。

  公司獨(dú)立董事已就上述事項(xiàng)發(fā)表了明確的事先認(rèn)可意見，以及同意的獨(dú)立意見,，公司董事會審計(jì)委員會發(fā)表了明確同意的書面審核意見,。

  根據(jù)財務(wù)活動的持續(xù)性特征，公司擬定2023年度續(xù)聘普華永道中天會計(jì)師事務(wù)所（特殊普通合伙）為本公司進(jìn)行2023年度財務(wù)報告和內(nèi)部控制的審計(jì),，并授權(quán)公司管理層按照市場情況,，綜合考慮參與審計(jì)工作的項(xiàng)目組成員的經(jīng)驗(yàn),、級別、投入時間和工作質(zhì)量綜合確定2023年度審計(jì)費(fèi)用,。

  公司獨(dú)立董事已就該事項(xiàng)發(fā)表了明確的事先認(rèn)可意見,，以及同意的獨(dú)立意見，公司董事會審計(jì)委員會發(fā)表了明確同意的書面審核意見,。

  根據(jù)相關(guān)法律,、法規(guī)、規(guī)范性文件以及公司章程,、公司《董事會議事規(guī)則》的規(guī)定,，公司董事會編制了《中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司董事會2022年年度工作報告》。

  根據(jù)相關(guān)法律,、法規(guī),、規(guī)范性文件以及公司章程、公司《總經(jīng)理工作細(xì)則》的規(guī)定,，公司總經(jīng)理編制了《中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司2022年年度總經(jīng)理工作報告》,。

  根據(jù)相關(guān)法律、法規(guī),、規(guī)范性文件以及公司章程,、公司《獨(dú)立董事工作制度》的規(guī)定，公司獨(dú)立董事編制了《中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司獨(dú)立董事2022年年度述職報告》,。

  （十一）審議通過《關(guān)于董事會審計(jì)委員會2022年年度履職情況報告的議案》

  根據(jù)相關(guān)法律,、法規(guī)、規(guī)范性文件以及公司章程,、公司《董事會審計(jì)委員會議事規(guī)則》的規(guī)定,，公司董事會審計(jì)委員會編制了《中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司董事會審計(jì)委員會2022年年度履職情況報告》。

  根據(jù)公司章程的規(guī)定,，結(jié)合公司實(shí)際經(jīng)營發(fā)展情況,，并參照行業(yè)、地區(qū)薪酬水平,，公司制定了2023年年度董事的薪酬方案,。

  根據(jù)公司章程的規(guī)定，結(jié)合公司實(shí)際經(jīng)營發(fā)展情況,，并參照行業(yè),、地區(qū)薪酬水平，公司制定了2023年年度高級管理人員的薪酬方案,。

  為完善公司風(fēng)險管理體系,，保障公司董事、監(jiān)事及高級管理人員的權(quán)益和廣大投資者利益,、降低公司運(yùn)營風(fēng)險,，同時促進(jìn)公司管理層充分行使權(quán)利,、履行職責(zé)，根據(jù)《上市公司治理準(zhǔn)則》的有關(guān)規(guī)定,，公司擬為全體董事,、監(jiān)事及高級管理人員購買責(zé)任保險。

  根據(jù)相關(guān)法律,、法規(guī),、規(guī)范性文件以及公司章程的規(guī)定，公司編制了《中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司2022年度內(nèi)控自我評報告》,。

  （十六）審議通過《關(guān)于公司〈2023年限制性股票激勵計(jì)劃（草案）〉及其摘要的議案》

  為了進(jìn)一步建立,、健全公司長效激勵機(jī)制，吸引和留住優(yōu)秀人才,，充分調(diào)動公司員工的積極性,，有效地將股東利益、公司利益和核心團(tuán)隊(duì)個人利益結(jié)合在一起,，使各方共同關(guān)注公司的長遠(yuǎn)發(fā)展,，在充分保障股東利益的前提下，按照激勵與約束對等的原則,，根據(jù)《中華人民共和國公司法》《中華人民共和國證券法》《上市公司股權(quán)激勵管理辦法》《上海證券交易所科創(chuàng)板股票上市規(guī)則》《科創(chuàng)板上市公司自律監(jiān)管指南第4號一一股權(quán)激勵信息披露》等有關(guān)法律,、法規(guī)和規(guī)范性文件以及《中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司章程》（以下簡稱“《公司章程》”）的規(guī)定，公司擬定了《2023年限制性股票激勵計(jì)劃（草案）》及其摘要,，擬向激勵對象實(shí)施限制性股票激勵,。

  表決結(jié)果：8票贊成，0票反對,，0票棄權(quán),，關(guān)聯(lián)董事尹志堯、叢海,、陶珩為本次限制性股票激勵計(jì)劃的激勵對象,，故在本議案中回避表決。

  （十七）審議通過《關(guān)于公司〈2023年限制性股票激勵計(jì)劃實(shí)施考核管理辦法〉的議案》

  為保證公司2023年限制性股票激勵計(jì)劃的順利進(jìn)行,，確保公司發(fā)展戰(zhàn)略和經(jīng)營目標(biāo)的實(shí)現(xiàn),，根據(jù)有關(guān)法律法規(guī)以及公司《2023年限制性股票激勵計(jì)劃（草案）》及其摘要的規(guī)定和公司實(shí)際情況，特制定公司《2023年限制性股票激勵計(jì)劃實(shí)施考核管理辦法》,。

  表決結(jié)果：8票贊成,，0票反對，0票棄權(quán),，關(guān)聯(lián)董事尹志堯,、叢海、陶珩為本次限制性股票激勵計(jì)劃的激勵對象,，故在本議案中回避表決,。

  （十八）審議通過《關(guān)于提請股東大會授權(quán)董事會辦理股權(quán)激勵相關(guān)事宜的議案》

  為了具體實(shí)施公司2023年限制性股票激勵計(jì)劃，公司董事會提請股東大會授權(quán)董事會辦理公司限制性股票激勵計(jì)劃的有關(guān)事項(xiàng),，向董事會授權(quán)的期限與激勵計(jì)劃有效期一致,。

  表決結(jié)果：8票贊成，0票反對,，0票棄權(quán),，關(guān)聯(lián)董事尹志堯、叢海,、陶珩為本次限制性股票激勵計(jì)劃的激勵對象,，故在本議案中回避表決。

  因業(yè)務(wù)發(fā)展需要,，公司擬對全資子公司中微半導(dǎo)體（上海）有限公司（以下簡稱“中微臨港”）增資30億元,，增資完成后，中微臨港注冊資本將由10億元增至40億元,，公司持有其100%股權(quán),，中微臨港仍為公司全資子公司。

  （二十）審議通過《關(guān)于提請召開中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司2022年年度股東大會的議案》

  根據(jù)《中華人民共和國證券法》《中華人民共和國公司法》和《上市公司股東大會規(guī)則》等法律,、法規(guī)和規(guī)范性文件的要求及《中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司章程》《中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司股東大會議事規(guī)則》的有關(guān)規(guī)定,，現(xiàn)提請于2023年4月20日召開公司2022年年度股東大會。

  本公司董事會及全體董事保證本公告內(nèi)容不存在任何虛假記載,、誤導(dǎo)性陳述或者重大遺漏,，并對其內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和完整性依法承擔(dān)法律責(zé)任,。

  ● 公司2022年度不分配利潤,，是基于行業(yè)發(fā)展情況、公司發(fā)展階段及自身經(jīng)營模式,、盈利水平及資金需求的綜合考慮,。

  經(jīng)普華永道中天會計(jì)師事務(wù)所（特殊普通合伙）審計(jì)確認(rèn)，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”或“公司”）2022年度實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤為11.70億元,，母公司實(shí)現(xiàn)的凈利潤為8.67億元,。充分考慮到公司目前處于發(fā)展期，經(jīng)營規(guī)模不斷擴(kuò)大,，資金需求較大,，為更好地維護(hù)全體股東的長遠(yuǎn)利益，公司2022年度不分配利潤,，資本公積不轉(zhuǎn)增,。

  公司2022年度不分配利潤，是基于行業(yè)發(fā)展情況,、公司發(fā)展階段及自身經(jīng)營模式,、盈利水平及資金需求的綜合考慮,，主要情況如下：

  半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)是一個全球化程度較高的行業(yè)，受國際經(jīng)濟(jì)波動,、半導(dǎo)體市場,、終端消費(fèi)市場需求影響，其發(fā)展往往呈現(xiàn)一定的周期性波動,。當(dāng)宏觀經(jīng)濟(jì)和終端消費(fèi)市場需求變化較大時,，半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商會調(diào)整其資本性支出規(guī)模和對半導(dǎo)體設(shè)備的采購計(jì)劃，從而對公司的營業(yè)收入和盈利產(chǎn)生影響,。

  在全球貿(mào)易爭端不斷,、世界經(jīng)濟(jì)增長放緩、國內(nèi)經(jīng)濟(jì)下行壓力加大的背景下,，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),、LED產(chǎn)業(yè)及設(shè)備產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)震蕩發(fā)展態(tài)勢。

  公司主要從事半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā),、生產(chǎn)和銷售,，通過向下游集成電路、LED芯片,、先進(jìn)封裝,、MEMS等半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造公司銷售刻蝕設(shè)備和MOCVD設(shè)備、提供配件或服務(wù)實(shí)現(xiàn)收入和利潤,。

  公司所處的半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)屬于技術(shù),、資金密集型行業(yè)，具有產(chǎn)品技術(shù)升級快,、研發(fā)投入大等特點(diǎn),。國外領(lǐng)先的同行業(yè)可比公司均在研發(fā)上投入了大量資金，近年來主要可比公司年研發(fā)投入超過10億美元,。2022年公司研發(fā)投入為人民幣9.29億元,，與國外領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司仍有較大差距。目前公司處于相對快速發(fā)展階段,，需要持續(xù)投入大量資金用于新一代刻蝕設(shè)備,、薄膜設(shè)備以及寬禁帶功率器 件外延生長設(shè)備等新產(chǎn)品研發(fā)以及市場化等。

  此外,，為更好地完善公司的產(chǎn)業(yè)鏈布局,，進(jìn)一步提升公司的產(chǎn)能規(guī)模和綜合競爭實(shí)力，公司正在上海臨港新片區(qū)建設(shè)中微臨港產(chǎn)業(yè)化基地及中微臨港總部和研發(fā)中心,，在南昌高新區(qū)建設(shè)中微南昌產(chǎn)業(yè)化基地,。相關(guān)建設(shè)亦需要大量資金投入支持。

  2022年度實(shí)現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤為11.70億元，母公司實(shí)現(xiàn)的凈利潤為8.67億元,，公司盈利能力不斷增強(qiáng),，整體財務(wù)狀況向好。

  2023年,，公司將全力推進(jìn)技術(shù)研發(fā),，重視核心技術(shù)的創(chuàng)新。在開發(fā)等離子體刻蝕設(shè)備和MOCVD設(shè)備的過程中,，公司擬招募國際和國內(nèi)一流的技術(shù)人才，保持高額的研發(fā)投入,。同時,，為適應(yīng)經(jīng)營規(guī)模的快速發(fā)展，公司將進(jìn)一步提升質(zhì)量管控和內(nèi)部管理水平,，不斷做大做強(qiáng),，為全體股東創(chuàng)造較好的投資回報。在此過程中,，公司需要更多的資金以保障目標(biāo)的實(shí)現(xiàn),。

  公司將繼續(xù)保持高額的研發(fā)投入以有力推動項(xiàng)目的研發(fā)進(jìn)度，不斷踐行外延式發(fā)展策略并積極探索在相關(guān)領(lǐng)域的投資機(jī)會,。目前公司正處于快速發(fā)展的重要階段,，需要大量資金的支持。

  公司2022年度未分配利潤將累積滾存至下一年度,，以滿足公司生產(chǎn)經(jīng)營和項(xiàng)目投資帶來的營運(yùn)資金的需求,。公司將繼續(xù)嚴(yán)格按照相關(guān)法律法規(guī)和《公司章程》等規(guī)定，綜合考慮與利潤分配相關(guān)的各種因素,，從有利于公司發(fā)展和投資者回報的角度出發(fā),，積極履行公司的利潤分配政策，與廣大投資者共享公司發(fā)展的成果,。

  公司于2023年3月30日召開第二屆董事會第十一次會議審議通過了《關(guān)于公司2022年年度利潤分配預(yù)案的議案》,，充分考慮到公司目前處于發(fā)展期，經(jīng)營規(guī)模不斷擴(kuò)大,，資金需求較大,，為保持公司持續(xù)發(fā)展及資金流動性的需要，確保公司擁有必要的,、充足的資金以應(yīng)對外部宏觀經(jīng)濟(jì)環(huán)境變化可能產(chǎn)生的經(jīng)營風(fēng)險,，更好地維護(hù)全體股東的長遠(yuǎn)利益，根據(jù)相關(guān)法律,、法規(guī),、規(guī)范性文件以及公司章程的規(guī)定，同意公司2022年度不分配利潤，資本公積不轉(zhuǎn)增,，并同意將該方案提交公司2022年年度股東大會審議,。

  為保持公司持續(xù)發(fā)展及資金流動性的需要，公司2022年度不分配利潤的決定符合公司當(dāng)前的實(shí)際情況,，符合法律法規(guī)及《公司章程》的規(guī)定,，同意將該議案提交公司2022年年度股東大會審議。

  本公司于2023年3月30日召開第二屆監(jiān)事會第九次會議審議通過了《關(guān)于公司2022年年度利潤分配預(yù)案的議案》,，在充分考慮公司業(yè)績情況,、生產(chǎn)經(jīng)營需要以及未來發(fā)展資金需求等綜合因素的情況下，同意不分配利潤,、資本公積不轉(zhuǎn)增,。該議案與公司發(fā)展規(guī)劃相符，有利于公司的正常經(jīng)營和健康發(fā)展,，具備合法性,、合規(guī)性、合理性,，符合公司及全體股東的利益,，因此同意本次利潤分配方案并同意將該方案提交本公司2022年年度股東大會審議。

  （一）本次利潤分配方案結(jié)合了公司發(fā)展階段,、未來的資金需求等因素,，不會對公司經(jīng)營現(xiàn)金流產(chǎn)生重大影響，不會影響公司正常經(jīng)營和長期發(fā)展,。

  （二）本次利潤分配方案尚需提交公司2022年年度股東大會審議通過后方可實(shí)施,。

  本公司董事會及全體董事保證本公告內(nèi)容不存在任何虛假記載、誤導(dǎo)性陳述或者重大遺漏,，并對其內(nèi)容的真實(shí)性,、準(zhǔn)確性和完整性依法承擔(dān)法律責(zé)任。

  根據(jù)中國證監(jiān)會《上市公司監(jiān)管指引第2號一一上市公司募集資金管理和使用的監(jiān)管要求》,、《上海證券交易所科創(chuàng)板上市公司自律監(jiān)管指引第1號一一規(guī)范運(yùn)作》和《上海證券交易所科創(chuàng)板股票上市規(guī)則》等相關(guān)規(guī)定,，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“公司”或“本公司”）董事會編制了2022年度（以下簡稱“報告期”或“本報告期”）募集資金存放與實(shí)際使用情況專項(xiàng)報告如下：

  根據(jù)中國證券監(jiān)督管理委員會于2019年7月1日簽發(fā)的證監(jiān)許可[2019]1168號文《關(guān)于同意中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司首次公開發(fā)行股票注冊的批復(fù)》，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司獲準(zhǔn)向境內(nèi)投資者首次公開發(fā)行人民幣普通股53,486,224股,，每股發(fā)行價格為人民幣29.01元,，股款以人民幣繳足，計(jì)人民幣155,163.54萬元,，扣除承銷及保薦費(fèi)用共計(jì)人民幣8,782.84萬元后,，實(shí)際收到募集資金計(jì)人民幣146,380.69萬元，再扣除發(fā)行中介及其他發(fā)行費(fèi)用人民幣合計(jì)1,810.41萬元后,，實(shí)際募集資金凈額為人民幣144,570.28萬元（以下簡稱“首發(fā)募集資金”）,，上述資金于2019年7月16日到位，業(yè)經(jīng)普華永道中天會計(jì)師事務(wù)所（特殊普通合伙）予以驗(yàn)證并出具了普華永道中天驗(yàn)字（2019）第0411號驗(yàn)資報告。

  中國證券監(jiān)督管理委員會于2021年3月3日出具證監(jiān)許可[2021]645號文《關(guān)于同意中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司向特定對象發(fā)行股票注冊的批復(fù)》核準(zhǔn)了公司向特定對象發(fā)行80,229,335股人民幣普通股A股股票,。截至2021年6月22日止,，公司完成了人民幣普通股A股80,229,335股的發(fā)行，每股發(fā)行價格為人民幣102.29元,，股款以人民幣繳足,，合計(jì)人民幣820,665.87萬元，扣除承銷及保薦費(fèi)用共計(jì)人民幣8,206.66萬元（不含增值稅）后,，實(shí)際收到募集資金計(jì)人民幣812,459.21萬元,，再扣除其他發(fā)行費(fèi)用人民幣合計(jì)642.96萬元（不含增值稅）后，實(shí)際募集資金凈額為人民幣811,816.24萬元（以下簡稱“再融資募集資金”）,，上述資金于2021年6月22日到位,，業(yè)經(jīng)普華永道中天會計(jì)師事務(wù)所（特殊普通合伙）予以驗(yàn)證并出具了普華永道中天驗(yàn)字（2021）第0638號驗(yàn)資報告。

  截至2022年12月31日,，公司首發(fā)募集資金專戶余額為人民幣1,913.97萬元（含募集資金利息收入扣減手續(xù)費(fèi)凈額）。詳細(xì)情況如下：

  截至2022年12月31日,，公司再融資募集資金專戶余額為人民幣21,013.00 萬元（含募集資金利息收入扣減手續(xù)費(fèi)凈額）,。具體情況如下：

  中微公司已按照《中華人民共和國公司法》、《中華人民共和國證券法》,、《關(guān)于進(jìn)一步加強(qiáng)股份有限公司公開募集資金管理的通知》,、《上海證券交易所上市公司募集資金管理辦法（2013年修訂）》等相關(guān)規(guī)定的要求制定《中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司募集資金管理辦法》（以下簡稱“募集資金管理辦法”），對募集資金實(shí)行專戶存儲制度,，對募集資金的存放,、使用、項(xiàng)目實(shí)施管理,、投資項(xiàng)目的變更及使用情況的監(jiān)督等進(jìn)行了規(guī)定,。該辦法已經(jīng)中微公司2019年度第一次臨時股東大會審議通過。

  截至2022年12月31日,，尚未使用的首發(fā)募集資金存放專項(xiàng)賬戶的余額如下：

  本公司依照規(guī)定對IPO募集資金采取了專戶存儲管理,，開立了IPO募集資金專戶，并于2019年7月與保薦機(jī)構(gòu)海通證券股份有限公司,、募集資金專戶監(jiān)管銀行招商銀行股份有限公司上海金橋支行,、中信銀行股份有限公司上海分行及中國建設(shè)銀行股份有限公司上海浦東分行簽署了《募集資金專戶存儲三方監(jiān)管協(xié)議》。

  截至2022年12月31日,，尚未使用的再融資募集資金存放專項(xiàng)賬戶的余額如下：

  本公司依照規(guī)定對再融資募集資金采取了專戶存儲管理,，開立了再融資募集資金專戶，并分別于2021年4月與保薦機(jī)構(gòu)海通證券股份有限公司,、募集資金專戶監(jiān)管銀行招商銀行股份有限公司上海分行營業(yè)部,、中信銀行股份有限公司上海浦東分行、上海浦東發(fā)展銀行股份有限公司張江科技支行及中國建設(shè)銀行股份有限公司上海浦東分行簽署了《募集資金專戶存儲三方監(jiān)管協(xié)議》。

  本報告期本公司募集資金實(shí)際使用情況詳見附表1 IPO募集資金使用情況對照表和附表2 再融資募集資金使用情況對照表,。

  公司為提高募集資金使用效益,，將部分暫時閑置募集資金通過通知存款、結(jié)構(gòu)性存款等存款方式或購買安全性高,、流動性好,、一年以內(nèi)的短期保本型理財產(chǎn)品等方式來進(jìn)行現(xiàn)金管理，投資產(chǎn)品的期限不超過 12 個月,。