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時(shí)間: 2023-11-11 20:04:23 |   作者: 哈希官網(wǎng)hashcsgo

平安證券:國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展 薄膜沉積設(shè)備廠商深度受益

  平安證券發(fā)布研究報(bào)告稱(chēng),,當(dāng)前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)擴(kuò)張如火如荼,,而海外對(duì)華半導(dǎo)體制裁持續(xù)加碼,,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商面對(duì)優(yōu)越的市場(chǎng)環(huán)境和政策支持,前景較為樂(lè)觀;薄膜沉積設(shè)備作為半導(dǎo)體核心設(shè)備之一,,在半導(dǎo)體制造中具備極其重大作用,,在國(guó)產(chǎn)化替代、技術(shù)進(jìn)步以及產(chǎn)業(yè)擴(kuò)張帶來(lái)的多重市場(chǎng)需求下,,產(chǎn)業(yè)鏈共同發(fā)力,PVD,、CVD,、ALD等薄膜沉積設(shè)備賽道在未來(lái)較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)將持續(xù)火熱,建議積極關(guān)注,。

  國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展,,為半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)來(lái)提供了廣闊的平臺(tái)市場(chǎng),薄膜沉積設(shè)備廠商深度受益,。

  美國(guó)對(duì)華半導(dǎo)體制裁持續(xù),,先進(jìn)制程受阻,中短期內(nèi),,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鎖定成熟制程快速拓展,,形成存量國(guó)產(chǎn)替代和產(chǎn)業(yè)增量拓展的雙重推手,外部市場(chǎng)環(huán)境優(yōu)越,,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商迎來(lái)前所未有的機(jī)遇;遠(yuǎn)期看,,先進(jìn)制程加快速度進(jìn)行發(fā)展,半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度大幅度提高,,對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備的市場(chǎng)需求也隨之攀升,,待國(guó)內(nèi)先進(jìn)制程取得突破后,對(duì)設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈將起到巨大的帶動(dòng)作用,。薄膜沉積設(shè)備作為半導(dǎo)體制造三大核心設(shè)備之一,,是后續(xù)幾乎所有工藝的基礎(chǔ),重要性不言而喻,,在目前優(yōu)越的市場(chǎng)環(huán)境及政策支持下,,產(chǎn)業(yè)鏈共同發(fā)力,需求端火熱,,供給端也在努力追趕,、加速放量,疊加目前仍然較低的國(guó)產(chǎn)化水平,,產(chǎn)業(yè)前景長(zhǎng)期向好的趨勢(shì)較為明確,。

  PVD、CVD是薄膜沉積主流,,ALD作為沉積設(shè)備新寵,,在先進(jìn)制程中的應(yīng)用越發(fā)凸顯。

  PVD、CVD占據(jù)薄膜沉積賽道的半壁江山,,半導(dǎo)體制造中絕大多數(shù)金屬層,、介質(zhì)層及半導(dǎo)體層均為PVD、CVD設(shè)備制造;隨著先進(jìn)制程的持續(xù)不斷的發(fā)展,,對(duì)膜厚精度,、薄膜質(zhì)量、臺(tái)階覆蓋率等提出了更高的要求,,HDPCVD,、SACVD等技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生,且ALD由于具備原子層級(jí)的膜厚控制能力,,在先進(jìn)制程的核心工藝(如SADP,、HKMG等)中發(fā)揮關(guān)鍵作用,慢慢的變成為先進(jìn)制程工藝平臺(tái)的“新寵”,。

  國(guó)內(nèi)多家廠商在薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域均有涉獵,,側(cè)重點(diǎn)有所差異,競(jìng)爭(zhēng)格局較為良性,。

  北方華創(chuàng)002371)(002371.SZ)是國(guó)內(nèi)PVD龍頭,,稀缺性較強(qiáng),且在LPCVD,、APCVD,、ALD領(lǐng)域也有所布局,產(chǎn)品已經(jīng)批量應(yīng)用到半導(dǎo)體產(chǎn)線(xiàn).SH)專(zhuān)注薄膜沉積設(shè)備,,擁有PECVD,、SACVD、ALD三大產(chǎn)品系列,,公司處于快速上升階段;微導(dǎo)納米(688147.SH)依靠ALD設(shè)備起家,,在光伏、半導(dǎo)體中均有應(yīng)用,,且公司是國(guó)內(nèi)首家成功將量產(chǎn)型High-kALD應(yīng)用于28nm節(jié)點(diǎn)集成電路制造前道生產(chǎn)線(xiàn)的國(guó)產(chǎn)設(shè)備公司,,在ALD領(lǐng)域頗具競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。上述半導(dǎo)體設(shè)備廠商的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)不一樣,,側(cè)重點(diǎn)分化明顯,,形成了較為良性的差異化競(jìng)爭(zhēng)格局。

  風(fēng)險(xiǎn)提示:(1)美國(guó)對(duì)華半導(dǎo)體制裁的風(fēng)險(xiǎn),。(2)國(guó)產(chǎn)化替代市場(chǎng)需求沒(méi)有到達(dá)預(yù)期的風(fēng)險(xiǎn),。(3)國(guó)內(nèi)公司技術(shù)突破沒(méi)有到達(dá)預(yù)期的風(fēng)險(xiǎn)。

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