離子注入是通過對半導(dǎo)體材料表明上進行某種元素的摻雜,，從而改變其特性的工藝制程,，在泛半導(dǎo)體工業(yè)中得到普遍的應(yīng)用,。作為離子注入制程的裝備—離子注入機,，是其中先進IC生產(chǎn)線上最關(guān)鍵的工具之一,。與熱擴散的摻雜技術(shù)相比,，離子注入技術(shù)具有以下特點：單面準直摻雜、良好的摻雜均勻性和可控性,、摻雜元素的單一性,，而且很容易實現(xiàn)摻雜區(qū)域的圖形化。

  離子注入機是高壓小型加速器中的一種,，應(yīng)用數(shù)量最多,。它是由離子源得到所需要的離子，經(jīng)過加速得到幾百千電子伏能量的離子束流,，用做半導(dǎo)體材料,、大規(guī)模

  和器件的離子注入，還用于金屬材料表面改性和制膜等,。常用的生產(chǎn)型離子注入機主要有三種類型：低能大束流注入機,、高能注入機和中束流注入機。

  集成電路制造中的重要環(huán)節(jié),，薄膜生長技術(shù)主要使用在在電子半導(dǎo)體功能器件和光學(xué)鍍膜上,，總的來說可大致分為物理方法（PVD）和化學(xué)方法（CVD）。PVD 與 CVD 技術(shù)各有優(yōu)缺,，PVD 通過加熱源材料,，使原子或分子從源材料表面逸出，從而在襯底上生長薄膜,，包括真空蒸鍍和濺射鍍膜,。真空蒸鍍指在真空中，把蒸發(fā)料（金屬）加熱,，使其原子或分子獲得足夠的能量,，克服表面的束縛而蒸發(fā)到真空中成為蒸氣，蒸氣分子或原子飛行途中遇到基片,，就淀積在基片上,，形成薄膜。濺射鍍膜則利用高能粒子（通常是由電場加速的正離子如 Ar＋）撞擊固定表面,，使表面離子（原子或分子）逸出,。CVD 單獨的或綜合地利用熱能、等離子體放電,、紫外光照射等形式,，使氣態(tài)物質(zhì)在固體表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并在該表面上沉積，形成穩(wěn)定固態(tài)薄膜,。

  是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法,。原子層沉積與普通的化學(xué)沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中,，新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的,，這種方式使每次反應(yīng)只沉積一層原子,。

  半導(dǎo)體電鍍是指在芯片制作的完整過程中，將電鍍液中的金屬離子電鍍到晶圓表明產(chǎn)生金屬互連,。導(dǎo)體電鍍設(shè)備大致上可以分為前道銅互連電鍍設(shè)備和后道先進封裝電鍍設(shè)備,。前道銅互連電鍍設(shè)備針對55nn、40nm,、28nm 及20－14nm以下技術(shù)節(jié)點的前道銅互連鍍銅技術(shù)Ultra ECP map,，最大的作用在晶圓上沉淀一層致密、無孔洞,、無縫隙和其他缺陷,、分布均勻的銅；后道先進封裝電鍍設(shè)備針對先進封裝電鍍需求來做差異化開發(fā),，適用于大電流高速電鍍應(yīng)用,， 并采用模塊化設(shè)計便于維護和控制，減少設(shè)備維護保養(yǎng)時間,，提高設(shè)備使用率。

  拋光設(shè)備依靠非常細小的拋光粉的磨削,、滾壓作用,，除去試樣磨面上的極薄一層金屬。拋光常常用于增強產(chǎn)品的外觀,，防止儀器的污染,，除去氧化，創(chuàng)建一個反射表面,，或防止腐蝕的管道,。在半導(dǎo)體制造的過程中，拋光用于形成平坦,，無缺陷的表面,，用于在顯微鏡下檢查金屬的微觀結(jié)構(gòu)。拋光過程中能夠正常的使用拋光墊和拋光液,。